Транзисторы полевые

Поиск
Параметры












Страницы

Наименованиесортировать по убываниюПроизводительТипПол.Uds,
В
Id,
А
Rds,
мОм
Pd,
Вт
Ugs,
В
Udg,
В
Cd,
пФ
tr,
нс
tf,
нс
Tj,
С
Корпус
2N3824SEMELABJFETN500.012-0.3-----150TO-46
2N3824LPSEMELABJFETN500.012-0.3-----150TO-46
2N4391SEMELABJFETN400.15301.8--14--150TO-18
2N4391CSMSEMELABJFETN400.15300.35--14--150LCC-1
2N4392SEMELABJFETN400.15601.8--14--150TO-18
2N4392CSMSEMELABJFETN400.15600.35--14--150LCC-1
2N4393SEMELABJFETN400.151001.8--14--150TO-18
2N4393CSMSEMELABJFETN400.151000.35--14--150LCC-1
2N4416SEMELABJFETN300.03-0.3-----150TO-18
2N5045SEMELABJFETN500.008-0.25-----150TO-71
2N5484PHFETN250.005---3130006000150TO-226AA (TO-92)
2N5485PHFETN250.01---4135007000150TO-226AA (TO-92)
2N5486PHFETN250.02---6140008000150TO-226AA (TO-92)
2N6656UNKNOWNMOSFETN352-2515--10-150TO-3
2N6657UNKNOWNMOSFETN60232515-5055150TO-3
2N6658UNKNOWNMOSFETN90242515-5055150TO-3
2N6659SEMELABMOSFETN3521.86.2530-5055150TO-39
2N6659-LCC4SEMELABJFETN601.156.25-----150LCC-4
2N6659-SMSEMELABJFETN601.156.25-----150TO-220AB (TO-220)
2N6660SUPERTEXMOSFETN601.136.252060501010150TO-39
2N6660-LCC4SEMELABMOSFETN601.136.25--50--150LCC-4
2N6660-SMSEMELABMOSFETN601.136.25--50--150TO-220AB (TO-220)
2N6660JANUNKNOWNMOSFETN60236.2530-5055150TO-39
2N6660JANTXUNKNOWNMOSFETN60236.2530-5055150TO-39
2N6660JANTXVUNKNOWNMOSFETN60236.2530-5055150TO-39
2N6661SUPERTEXMOSFETN900.946.252090501010150TO-39
2N6661-220MSEMELABMOSFETN900.946.25--50--150TO-220AB (TO-220)
2N6661-LCC4SEMELABMOSFETN900.946.25--50--150LCC-4
2N6661JANUNKNOWNMOSFETN90246.2530-5055150TO-39
2N6661JANTXUNKNOWNMOSFETN90246.2530-5055150TO-39

Страницы

Наименование - Наименование полевого транзистора,
Производитель - Производитель полевого транзистора,
Тип - Тип полевого транзистора,
Пол. - Тип канала полевого транзистора,
Uds - Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком, В
Id - Максимально допустимый постоянный ток стока, А
Rds - Сопротивление между стоком и истоком, мОм
Pd - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе, Вт
Ugs - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком, В
Udg - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком, В
Корпус - Корпус полевого транзистора,