Транзисторы полевые

Поиск
Параметры












Страницы

НаименованиеПроизводительТипПол.Uds,
В
Id,
А
Rds,
мОм
Pd,
Вт
Ugs,
В
Udg,
В
Cd,
пФ
tr,
нс
tf,
нс
Tj,
С
Корпуссортировать по убыванию
IRLMS1503IRMOSFETN303.20.11.74.5----1500402
IRLMS1902IRMOSFETN203.20.11.74.5----1500402
IRLMS2002IRMOSFETN206.50.0324.5----1500402
IRLMS4502IRMOSFETP125.50.0421.74.5----1500402
IRLMS5703IRMOSFETP302.30.21.74.5----1500402
IRLMS6702IRMOSFETP202.30.21.72.7----1500402
IRLMS6802IRMOSFETP205.60.0524.5-107912701500402
FRX130D1HARRISMOSFETN10060.1811.420100-30200150CLCC-18
FRX130D2HARRISMOSFETN10060.1811.420100-30200150CLCC-18
FRX130D3HARRISMOSFETN10060.1811.420100-30200150CLCC-18
FRX130D4HARRISMOSFETN10060.1811.420100-30200150CLCC-18
FRX130R1HARRISMOSFETN10060.1811.420100-30200150CLCC-18
FRX130R2HARRISMOSFETN10060.1811.420100-30200150CLCC-18
FRX130R3HARRISMOSFETN10060.1811.420100-30200150CLCC-18
FRX130R4HARRISMOSFETN10060.1811.420100-30200150CLCC-18
FRX130H1HARRISMOSFETN10060.1811.420100-30200150CLCC-18
FRX130H2HARRISMOSFETN10060.1811.420100-30200150CLCC-18
FRX130H3HARRISMOSFETN10060.1811.420100-30200150CLCC-18
FRX130H4HARRISMOSFETN10060.1811.420100-30200150CLCC-18
2SJ479HITACHIMOSFETP3030-5020-1700--150D-PAK
2SJ505HITACHIMOSFETP60500.0247520-4100--150D-PAK
2SJ506HITACHIMOSFETP3010-2020-660--150D-PAK
2SJ527HITACHIMOSFETP6050.052020-220--150D-PAK
2SJ528HITACHIMOSFETP6070.242020-400--150D-PAK
2SJ529HITACHIMOSFETP60100.172020-580--150D-PAK
2SJ530HITACHIMOSFETP60150.113020-850--150D-PAK
2SJ549HITACHIMOSFETP60120.165020-600--150D-PAK
2SJ550HITACHIMOSFETP60150.1055020-850--150D-PAK
2SJ551HITACHIMOSFETP60180.076020-1300--150D-PAK
2SJ552HITACHIMOSFETP60200.0657520-1750--150D-PAK

Страницы

Наименование - Наименование полевого транзистора,
Производитель - Производитель полевого транзистора,
Тип - Тип полевого транзистора,
Пол. - Тип канала полевого транзистора,
Uds - Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком, В
Id - Максимально допустимый постоянный ток стока, А
Rds - Сопротивление между стоком и истоком, мОм
Pd - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе, Вт
Ugs - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком, В
Udg - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком, В
Корпус - Корпус полевого транзистора,