Транзисторы полевые

Поиск
Параметры












Страницы

НаименованиеПроизводительсортировать по убываниюТипПол.Uds,
В
Id,
А
Rds,
мОм
Pd,
Вт
Ugs,
В
Udg,
В
Cd,
пФ
tr,
нс
tf,
нс
Tj,
С
Корпус
2N7227JVADPWRMOSFETN400140.315150--2400100-150UNKNOWN
2N7227JXADPWRMOSFETN400140.315150--2400100-150UNKNOWN
2N7228JVADPWRMOSFETN500120.415150--2410103-150SMD-2
2N7228JXADPWRMOSFETN500120.415150--2410103-150SMD-2
APT1001R1ANADPWRMOSFETN10009.51.123030-29503248150TO-3
APT1001R1AVRADPWRMOSFETN100091.1200--3050150-150SMD-2
APT1001R1BNADPWRMOSFETN100010.51.131030-29503248150TO-247
APT1001R1BVFRADPWRMOSFETN1000111280--3050200-150UNKNOWN
APT1001R1HNADPWRMOSFETN10009.51.125030-29503248150TO-258
APT1001R1HVRADPWRMOSFETN100091.1200--3050150-150SMD-2
APT1001R2ANADPWRMOSFETN100091.223030-24503248150TO-3
APT1001R2BNADPWRMOSFETN1000101.231030-24503248150TO-247
APT1001R2HNADPWRMOSFETN100091.225030-24503248150TO-258
APT1001R3ANADPWRMOSFETN10008.51.323030-29503248150TO-3
APT1001R3BNADPWRMOSFETN1000101.331030-29503248150TO-247
APT1001R3HNADPWRMOSFETN100091.325030-29503248150TO-258
APT1001R6BNADPWRMOSFETN100081.6240-----150UNKNOWN
APT1001RANADPWRMOSFETN10009.5123030-24503248150TO-3
APT1001RBNADPWRMOSFETN100011131030-24503248150TO-247
APT1001RBVRADPWRMOSFETN1000111280--3050--150UNKNOWN
APT1001RSVRADPWRMOSFETN1000111280--3050--150UNKNOWN
APT10025JVFRADPWRMOSFETN1000340.25700--12400300-150UNKNOWN
APT10025JVRADPWRMOSFETN1000340.25700--15000--150UNKNOWN
APT10025PVRADPWRMOSFETN1000330.25625--15000660-150UNKNOWN
APT10026JNADPWRMOSFETN1000330.26690--1610465-150UNKNOWN
APT1002R4ANADPWRMOSFETN10005.52.419830-18002637150TO-3
APT1002R4BNADPWRMOSFETN10006.52.424030-17502637150TO-247
APT1002R4CNADPWRMOSFETN100052.415030-18002637150TO-254
APT1002RANADPWRMOSFETN10006219830-18002637150TO-3
APT1002RBNADPWRMOSFETN10007224030-18002637150TO-247

Страницы

Наименование - Наименование полевого транзистора,
Производитель - Производитель полевого транзистора,
Тип - Тип полевого транзистора,
Пол. - Тип канала полевого транзистора,
Uds - Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком, В
Id - Максимально допустимый постоянный ток стока, А
Rds - Сопротивление между стоком и истоком, мОм
Pd - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе, Вт
Ugs - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком, В
Udg - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком, В
Корпус - Корпус полевого транзистора,