Транзисторы полевые

Поиск
Параметры












Страницы

НаименованиеПроизводительТипсортировать по убываниюПол.Uds,
В
Id,
А
Rds,
мОм
Pd,
Вт
Ugs,
В
Udg,
В
Cd,
пФ
tr,
нс
tf,
нс
Tj,
С
Корпус
Si4812DYVISHAYFETN3090.0282.5---16-150SO-8
Si4816DYVISHAYFETN30-0.038---6.3-150SO-8
Si4818DYVISHAYFETN30-0.038---6.3-150SO-8
Si4831DYVISHAYFETP3050.092---10-150SO-8
Si4832DYVISHAYFETN3090.0282.5---16-150SO-8
Si4833DYVISHAYFETP303.50.182---8.7-150SO-8
Si6820DQVISHAYFETN201.90.161.2---2.1-150TSSOP-8
Si6821DQVISHAYFETP201.70.191.2---3.5-150TSSOP-8
Si6923DQVISHAYFETP203.50.051.2---4.5-150TSSOP-8
BF1100PHFETP140.03---12.224000-150SOT-143
BF1100RPHFETP140.03---12.224000-150SOT-143R
BF1100WRPHFETP140.03---12.224000-150SOT-343R
BF1101PHFETP70.03----2.225000-150SOT-143
BF1101RPHFETP70.03----2.225000-150SOT-143R
BF1101WRPHFETP70.03----2.225000-150SOT-343R
BF1102PHFETP70.04---1.22.836000-150SOT-363
BF1105PHFETP70.03----2.225000-150SOT-143
BF1105RPHFETP70.03----2.225000-150SOT-143R
BF1105WRPHFETP70.03----2.225000-150SOT-343R
BF1109PHFETP110.03---1.22.224000-150SOT-143
BF1109RPHFETP110.03---1.22.224000-150SOT-143R
BF1109WRPHFETP110.03---1.22.224000-150SOT-343R
BF245APHFETN300.0065---81.130006500150TO-226AA (TO-92)
HAF1001HITACHIFETP60150.15016----150TO-220AB (TO-220)
BF245BPHFETN300.015---81.130006500150TO-226AA (TO-92)
HAF1002HITACHIFETP60150.15016----150D-PAK
BF245CPHFETN300.025---81.130006500150TO-226AA (TO-92)
HAF1003HITACHIFETP60180.075016----150D-PAK
HAF1004HITACHIFETP6050.22016----150D-PAK
HAF1005HITACHIFETP60300.055016----150TO-220AB (TO-220)

Страницы

Наименование - Наименование полевого транзистора,
Производитель - Производитель полевого транзистора,
Тип - Тип полевого транзистора,
Пол. - Тип канала полевого транзистора,
Uds - Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком, В
Id - Максимально допустимый постоянный ток стока, А
Rds - Сопротивление между стоком и истоком, мОм
Pd - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе, Вт
Ugs - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком, В
Udg - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком, В
Корпус - Корпус полевого транзистора,