Транзисторы полевые

Поиск
Параметры












Страницы

НаименованиеПроизводительТипПол.Uds,
В
Id,
А
Rds,
мОм
Pd,
Вт
Ugs,
В
Udg,
В
Cd,
пФсортировать по убыванию
tr,
нс
tf,
нс
Tj,
С
Корпус
Si3853DVVISHAYMOSFETP201.80.21.1512--2.7-150TSOP-6
2N6801LCC4SEMELABMOSFETN4502.51.525-----150TO-220AB (TO-220)
2SK1123NECMOSFETN60400.03100-----150MP-88
BUK7635-55PHMOSFETN55170.03585-----150SOT-404
FDS4410FAIRCHILDMOSFETN30100.01352.5-----150SO-8
FSS13AORINTERSILMOSFETN10020.17------150TO-254
IRLZ34NIRMOSFETN55270.035564.5----150TO-220AB (TO-220)
IXTH14N80IXYSMOSFETN800140.7------150TO-247
NDP7050LFAIRCHILDMOSFETN50750.01150-----150TO-220AB (TO-220)
RFD8P06LEINTERSILMOSFETP6080.3------150UNKNOWN
Si4812DYVISHAYFETN3090.0282.5---16-150SO-8
TA17632HARRISMOSFETN20050.52520200-35172150TO-205AF
2SK1132NECMOSFETN500.1300.25-----150SST
BUK7675-55PHMOSFETN55100.07561-----150SOT-404
FDS4435FAIRCHILDMOSFETP308.80.022.5-----150SO-8
FSS230DINTERSILMOSFETN20080.44------150TO-254
IRFS441SAMSUNGMOSFETN4505.5-65-----150TO-3P
IRFZ15SAMSUNGMOSFETN608.3-43-----150TO-220AB (TO-220)
IRLZ34NLIRMOSFETN55300.035684.5----150TO-262
IXTH15N35MAIXYSMOSFETN350150.315020350---150TO-247
NDP7051FAIRCHILDMOSFETN50700.013130-----150TO-220AB (TO-220)
RFD8P06LESMINTERSILMOSFETP6080.3------150UNKNOWN
Si4816DYVISHAYFETN30-0.038---6.3-150SO-8
2N7275DINTERSILMOSFETN20050.52520200-35172150TO-205AF
2SK1133NECMOSFETN500.1300.2-----150SC-59
BUK78150-55PHMOSFETN5550.151.8-----150SOT-223
FDS4435AFAIRCHILDMOSFETP3090.0172.5-----150SO-8
FSS230RINTERSILMOSFETN20080.44------150TO-254
IRFS442SAMSUNGMOSFETN5004.8-65-----150TO-3P
IRFZ20SEMELABMOSFETN50150.140-----150TO-220AB (TO-220)

Страницы

Наименование - Наименование полевого транзистора,
Производитель - Производитель полевого транзистора,
Тип - Тип полевого транзистора,
Пол. - Тип канала полевого транзистора,
Uds - Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком, В
Id - Максимально допустимый постоянный ток стока, А
Rds - Сопротивление между стоком и истоком, мОм
Pd - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе, Вт
Ugs - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком, В
Udg - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком, В
Корпус - Корпус полевого транзистора,