Транзисторы полевые

Поиск
Параметры












Страницы

НаименованиеПроизводительТипПол.Uds,
В
Id,
Асортировать по убыванию
Rds,
мОм
Pd,
Вт
Ugs,
В
Udg,
В
Cd,
пФ
tr,
нс
tf,
нс
Tj,
С
Корпус
Si4816DYVISHAYFETN30-0.038---6.3-150SO-8
Si4818DYVISHAYFETN30-0.038---6.3-150SO-8
ALD1101APAUNKNOWNMOSFETN12-750.512-10--125UNKNOWN
ALD1101BPAUNKNOWNMOSFETN12-750.512-10--125UNKNOWN
ALD1101DAUNKNOWNMOSFETN12-750.512-10--125UNKNOWN
ALD1101MAUNKNOWNMOSFETN12-750.512-10--125TO-226AA (TO-92)
BF981UNKNOWNMOSFETN20--0.2256-2.1--150SOT-103
BF991PHMOSFETN20--0.26-2.1--150TO-253
2N7119UNKNOWNMOSFETN100--75-----150TO-204AA
APT10M19BVFRADPWRMOSFETN100-0.019370--5100200-150UNKNOWN
APT10M19BVRADPWRMOSFETN100-0.019370--5100--150UNKNOWN
APT10M19SVRADPWRMOSFETN100-0.019370--5100--150UNKNOWN
APT10M25BVFRADPWRMOSFETN100-0.025300--4300200-150UNKNOWN
APT10M25BVRADPWRMOSFETN100-0.025300--4300--150UNKNOWN
APT10M25SVRADPWRMOSFETN100-0.025300--4300--150UNKNOWN
BFR84UNKNOWNMOSFETN25--0.36-5.5--150TO-72
ECG221UNKNOWNMOSFETN20--0.420-5.5--150TO-72
ECG454UNKNOWNMOSFETN20--0.3625----150TO-72
ECG455UNKNOWNMOSFETN20--0.220-3.5--150SOT-103
IRFR120NIRMOSFETN100---39----150TO-252-AA
BFT46PHFETN250.0015---1.21.51-150SOT-23
KP103Irus(ussr)FETP120.0018-0.0213-20--150TO-5
KP101Grus(ussr)FETP100.002-0.0551010--150TO-5
PMBFJ113PHFETN400.0021000.35-331335150SOT-23
KP103Erus(ussr)FETP100.0025-0.0071.5-20--150TO-5
BF410APHFETN200.003---0.80.52500-150TO-226AA (TO-92)
BF510PHFETN200.003---0.80.42500-150SOT-23
KP103Jrus(ussr)FETP100.0038-0.0122.2-20--150TO-5
BFR31PHFETN250.005---2.51.515004500150SOT-23
2N5484PHFETN250.005---3130006000150TO-226AA (TO-92)

Страницы

Наименование - Наименование полевого транзистора,
Производитель - Производитель полевого транзистора,
Тип - Тип полевого транзистора,
Пол. - Тип канала полевого транзистора,
Uds - Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком, В
Id - Максимально допустимый постоянный ток стока, А
Rds - Сопротивление между стоком и истоком, мОм
Pd - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе, Вт
Ugs - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком, В
Udg - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком, В
Корпус - Корпус полевого транзистора,