Транзисторы полевые

Поиск
Параметры












Страницы

НаименованиеПроизводительТипПол.Uds,
В
Id,
А
Rds,
мОмсортировать по убыванию
Pd,
Вт
Ugs,
В
Udg,
В
Cd,
пФ
tr,
нс
tf,
нс
Tj,
С
Корпус
3SK202QUNKNOWNMOSFETN150.03-0.25--7--175TO-120
3SK202RUNKNOWNMOSFETN150.03-0.25--7--175TO-72
IRFS441SAMSUNGMOSFETN4505.5-65-----150TO-3P
IRFZ15SAMSUNGMOSFETN608.3-43-----150TO-220AB (TO-220)
3SK20HWUNKNOWNMOSFETN200.01-0.1--5--175TO-72
IRFS442SAMSUNGMOSFETN5004.8-65-----150TO-3P
3SK20HYUNKNOWNMOSFETN200.01-0.1--5--175TO-72
IRFS443SAMSUNGMOSFETN4504.8-65-----150TO-3P
IRLZ40SAMSUNGMOSFETN5035-50-----150TO-220AB (TO-220)
3SK21HUNKNOWNMOSFETN200.01-0.1--5--175TO-72
IRFS450SAMSUNGMOSFETN5009-70-----150TO-3P
IRLZ44SAMSUNGMOSFETN6035-150-----150TO-220AB (TO-220)
3SK29UNKNOWNMOSFETN200.01-0.0830-4--175TO-72
3SK32UNKNOWNMOSFETN200.015-0.1710-5--175TO-72
IRFS451SAMSUNGMOSFETN4509-70-----150TO-3P
SSH10N70SAMSUNGMOSFETN70010-150-----150TO-3P
2N6845SEMELABMOSFETP1004-------150TO-39
3SK35UNKNOWNMOSFETN200.03-0.26-5.5--175TO-72
IRF9511SAMSUNGMOSFETP603-20---9080150TO-220AB (TO-220)
IRFS452SAMSUNGMOSFETN5008.3-70-----150TO-3P
SSH10N70ASAMSUNGMOSFETN70010-150-----150TO-3P
2N6847SEMELABMOSFETP2002.5-------150TO-39
3SK37UNKNOWNMOSFETN200.025-0.238-6--175TO-72
IRF9512SAMSUNGMOSFETP1002.5-20---9080150TO-220AB (TO-220)
IRFS453SAMSUNGMOSFETN4508.3-70-----150TO-3P
2N6849SEMELABMOSFETP1006.5-------150TO-39
3SK38UNKNOWNMOSFETN200.01-0.212----150UNKNOWN
IRF9513SAMSUNGMOSFETP602.5-20---9080150TO-220AB (TO-220)
IRFZ25SAMSUNGMOSFETN6014-60-----150TO-220AB (TO-220)
2N6849LSEMELABMOSFETP1006.5-------150TO-39

Страницы

Наименование - Наименование полевого транзистора,
Производитель - Производитель полевого транзистора,
Тип - Тип полевого транзистора,
Пол. - Тип канала полевого транзистора,
Uds - Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком, В
Id - Максимально допустимый постоянный ток стока, А
Rds - Сопротивление между стоком и истоком, мОм
Pd - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе, Вт
Ugs - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком, В
Udg - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком, В
Корпус - Корпус полевого транзистора,