Транзисторы полевые

Поиск
Параметры












Страницы

НаименованиеПроизводительТипПол.Uds,
В
Id,
А
Rds,
мОм
Pd,
Вт
Ugs,
Всортировать по убыванию
Udg,
В
Cd,
пФ
tr,
нс
tf,
нс
Tj,
С
Корпус
2N6801LCC4SEMELABMOSFETN4502.51.525-----150TO-220AB (TO-220)
2SK1123NECMOSFETN60400.03100-----150MP-88
3SK202QUNKNOWNMOSFETN150.03-0.25--7--175TO-120
APT8030JVFRADPWRMOSFETN800250.3450--5500300-150UNKNOWN
BUK7635-55PHMOSFETN55170.03585-----150SOT-404
FDS4410FAIRCHILDMOSFETN30100.01352.5-----150SO-8
FSS13AORINTERSILMOSFETN10020.17------150TO-254
IRF9130SEMELABMOSFETP100110.3575--86060140150TO-3
IRFM350SEMELABMOSFETN400140.315150--260035170150TO-254
IRFS440AFAIRCHILDMOSFETN5006.20.8585--119074-150TO-3P
IRFZ14AFAIRCHILDMOSFETN60100.1430--28017-150TO-220AB (TO-220)
IXTH14N80IXYSMOSFETN800140.7------150TO-247
NDP7050LFAIRCHILDMOSFETN50750.01150-----150TO-220AB (TO-220)
RFD8P06LEINTERSILMOSFETP6080.3------150UNKNOWN
SFW9624FAIRCHILDMOSFETP2502.72.438--41520-150TO-263
SSF80N06AFAIRCHILDMOSFETN60550.0168--4630200-150TO-3P
Si4812DYVISHAYFETN3090.0282.5---16-150SO-8
2N6802UNKNOWNMOSFETN5003.51.525--9003030150TO-205AF
2SK1132NECMOSFETN500.1300.25-----150SST
3SK202RUNKNOWNMOSFETN150.03-0.25--7--175TO-72
APT8030JVRADPWRMOSFETN800250.3450--6600--150UNKNOWN
BUK7675-55PHMOSFETN55100.07561-----150SOT-404
FDS4435FAIRCHILDMOSFETP308.80.022.5-----150SO-8
FSS230DINTERSILMOSFETN20080.44------150TO-254
IRF9140SEMELABMOSFETP100180.23125--14003585150TO-3
IRFM360SEMELABMOSFETN400230.2250--420033120150TO-254
IRFS441SAMSUNGMOSFETN4505.5-65-----150TO-3P
IRFZ15SAMSUNGMOSFETN608.3-43-----150TO-220AB (TO-220)
NDP7051FAIRCHILDMOSFETN50700.013130-----150TO-220AB (TO-220)
RFD8P06LESMINTERSILMOSFETP6080.3------150UNKNOWN

Страницы

Наименование - Наименование полевого транзистора,
Производитель - Производитель полевого транзистора,
Тип - Тип полевого транзистора,
Пол. - Тип канала полевого транзистора,
Uds - Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком, В
Id - Максимально допустимый постоянный ток стока, А
Rds - Сопротивление между стоком и истоком, мОм
Pd - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе, Вт
Ugs - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком, В
Udg - Максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком, В
Корпус - Корпус полевого транзистора,