Транзисторы IGBT

Поиск
Параметры























Страницы

Наименованиесортировать по убываниюПроизводительПолярностьVCES,
В
VCE(on),
В
VGE,
В
IC,
А
PD,
Вт
ICM,
А
VGE(th),
В
td(on),
нс
td(off),
нс
Cies,
пФ
TJmin,
°С
TJmax,
°С
Корпус
1MBH08D-120FUJIN12003.52015135--12001500--150TO-3P
1MBH10D-060FUJIN60032030115--12001000--150TO-3P
1MBH10D-120FUJIN12003.52018155--12001500--150TO-3P
1MBH15-120FUJIN12003.52026245--12001500--150TO-3P
1MBH15D-060FUJIN60032037140--12001000--150TO-3P
1MBH15D-120FUJIN12003.52026245--12001500--150TO-3P
1MBH20D-060FUJIN60032045170--12001000--150TO-3P
1MBH25-120FUJIN12003.52038310--12001500--150TO-3P
1MBH25D-120FUJIN12003.52038310--12001500--150TO-3P
1MBH30D-060FUJIN60032058220--12001000--150TO-3P
1MBH50-060FUJIN60032082310--12001000--150TO-3P
1MBH50D-060FUJIN60032082310--12001000--150TO-3P
20N35GVLINTERSILN3751.61020150--30000---150TO-220AB (TO-220)
20N60C3DRINTERSILN6002.22040164--34390--150TO-247
20N60C3RINTERSILN6002.22040164--34390--150TO-220AB (TO-220)
27N60C3DRINTERSILN6001.82054208--38250--150TO-247
27N60C3RINTERSILN6002.22054208--38250--150TO-247
2N6975HARRISN4004.5205100--50400--175TO-247
2N6976HARRISN5004.5205100--50400--175TO-204AA
2N6977HARRISN4004.5205100--50400--175TO-247
2N6978HARRISN5004.5205100--50400--175TO-204AA
2PG352MATSUSHITAN40016-5150--355501370-150I-PAK
2PG401MATSUSHITAN4008-5130--1303501930-150I-PAK
2PG402MATSUSHITAN4008-5130--1303501930-150D-PAK
2SH11HITACHIN600--10-------175TO-220AB (TO-220)
2SH12HITACHIN600--15-------175TO-220AB (TO-220)
2SH13HITACHIN600--20-------175TO-220AB (TO-220)
2SH14HITACHIN600--30-------175TO-3P
2SH15HITACHIN600--50-------175TO-3P
2SH16HITACHIN600--75-------175TO-3P

Страницы

Наименование - Наименование IGBT транзистора,
Производитель - Производитель IGBT транзистора,
Полярность - Полярность,
VCES - Напряжение коллектор-эммитер, В
VCE(on) - Напряжение насыщения коллектор-эмитер, В
VGE - Напряжение затвор-эммитер, В
IC - Ток коллектора (при макс температуре), А
PD - Мощность транзистора (мах), Вт
ICM - Ток коллектора максимальный (импульсный), А
VGE(th) - Порог напряжения на затворе, В
Qg - Заряд затвора (номинальный), нК
Qge - Заряд затвор-эмитер (номинальный), нК
Qgc - Заряд затвор-коллектор (номинальный), нК
td(on) - Время задержки включения, нс
tr - Время нарастания, нс
td(off) - Время задержки выключения, нс
tf - Время спада, нс
Eon - Потери включения, мДж
Eoff - Потери выключения, мДж
Ets - Общие потери, мДж
Cies - Входная ёмкость, пФ
Coes - Выходная ёмкость, пФ
Cres - Проходная емкость, пФ
TJmin - Минимальная рабочая температура, °С
TJmax - Максимальная рабочая температура, °С
Корпус - Корпус IGBT транзистора,