Транзисторы IGBT

Поиск
Параметры























Страницы

Наименованиесортировать по убываниюПроизводительПолярностьVCES,
В
VCE(on),
В
VGE,
В
IC,
А
PD,
Вт
ICM,
А
VGE(th),
В
td(on),
нс
td(off),
нс
Cies,
пФ
TJmin,
°С
TJmax,
°С
Корпус
APT20GT60KRADPWRN60022040175--101151100-150TO-220AB (TO-220)
APT30GT60ARADPWRN600-2030250------150TO-3
APT30GT60BRADPWRN600-2030250------150TO-247
APT30GT60BRDADPWRN600-2030200------150TO-247
APT30GT60CRADPWRN600-2030250------150TO-254
APT30GT60KRADPWRN60022058250--141901600-150TO-220AB (TO-220)
APT33GF120B2RDADPWRN12002.72033300--301552200-150T-MAX
APT33GF120BRADPWRN12002.72052300--301501850-150TO-247
APT33GF120HRADPWRN1200-2033300------150TO-258
APT33GF120LRDADPWRN12002.72033300--301552200-150T-MAX
APT40GF120JRDADPWRN1200-2040390------150ISOTOP
APT40GT60BRADPWRN600-2040350------150TO-247
APT50GF120B2RADPWRN1200-2050390------150T-MAX
APT50GF120HRADPWRN1200-2050300------150TO-258
APT50GF120JRDADPWRN1200-2050460------150ISOTOP
APT50GF120LRADPWRN1200-2050390------150TO-264
APT50GF60ARADPWRN600-2050300------150TO-3
APT50GF60B2RDADPWRN600-2050300------150T-MAX
APT50GF60BRADPWRN600-2050300------150TO-247
APT50GF60HRADPWRN600-2050300------150TO-258
APT50GF60LRDADPWRN600-2050300------150TO-264
APT60GF120JRDADPWRN1200-2060520------150ISOTOP
APT60GT60BRADPWRN600-2060500------150TO-247
APT60GT60JRADPWRN600-2060375------150ISOTOP
APT60GT60JRDADPWRN600-2060375------150ISOTOP
APT8GT60KRADPWRN6002201770--740335-150TO-220AB (TO-220)
BUK854-800APHN8003.5-1285--400---150TO-220AB (TO-220)
BUK856-400IZPHN4002.2-15125--10000---150TO-220AB (TO-220)
BUK856-800APHN8003.5-24125--400---150TO-220AB (TO-220)
BUK866-400IZPHN4002.2-15125--10000---150SOT-404

Страницы

Наименование - Наименование IGBT транзистора,
Производитель - Производитель IGBT транзистора,
Полярность - Полярность,
VCES - Напряжение коллектор-эммитер, В
VCE(on) - Напряжение насыщения коллектор-эмитер, В
VGE - Напряжение затвор-эммитер, В
IC - Ток коллектора (при макс температуре), А
PD - Мощность транзистора (мах), Вт
ICM - Ток коллектора максимальный (импульсный), А
VGE(th) - Порог напряжения на затворе, В
Qg - Заряд затвора (номинальный), нК
Qge - Заряд затвор-эмитер (номинальный), нК
Qgc - Заряд затвор-коллектор (номинальный), нК
td(on) - Время задержки включения, нс
tr - Время нарастания, нс
td(off) - Время задержки выключения, нс
tf - Время спада, нс
Eon - Потери включения, мДж
Eoff - Потери выключения, мДж
Ets - Общие потери, мДж
Cies - Входная ёмкость, пФ
Coes - Выходная ёмкость, пФ
Cres - Проходная емкость, пФ
TJmin - Минимальная рабочая температура, °С
TJmax - Максимальная рабочая температура, °С
Корпус - Корпус IGBT транзистора,