Транзисторы IGBT

Поиск
Параметры























Страницы

Наименованиесортировать по убываниюПроизводительПолярностьVCES,
В
VCE(on),
В
VGE,
В
IC,
А
PD,
Вт
ICM,
А
VGE(th),
В
td(on),
нс
td(off),
нс
Cies,
пФ
TJmin,
°С
TJmax,
°С
Корпус
GA150TD120UIRN12002.9-150780------150INT-A-PAK
GA150TS60UIRN6002.3-15040------150INT-A-PAK
GA200SA60SIRN6001.3-100630------150SOT-227
GA200SA60UIRN6001.9-200500------150SOT-227
GA200TD120UIRN12002.8-2001040------150INT-A-PAK
GA250TD120UIRN12002.9-2501250------150INT-A-PAK
GA250TS60UIRN6002.3-250780------150INT-A-PAK
GA300TD60UIRN6002.3-300880------150INT-A-PAK
GA400TD25SIRN2501.6-4001350------150INT-A-PAK
GA400TD60UIRN6002.4-4001250------150INT-A-PAK
GA500TD60UIRN6002.4-5001550------150INT-A-PAK
GA50TS120UIRN12003-50280------150INT-A-PAK
GA600GD25SIRN2501.4-6001920------150INT-A-PAK
GA75TS120UIRN12003.1-75390------150INT-A-PAK
GA75TS60UIRN6002.2-75350------150INT-A-PAK
GT10G101TOSHIBAN40082013030--6000---150TO-220I
GT10J301TOSHIBAN6002.7-1090--300---150TOP-3
GT10J311TOSHIBAN6002.7-1080--300---150D-PAK
GT10Q301TOSHIBAN12002.8-10100--320---150TOP-3
GT10Q311TOSHIBAN12002.8-1090--320---150D-PAK
GT15G101TOSHIBAN40082017040--6000---150TO-220I
GT15J101TOSHIBAN60042015100--60010001100-150TOP-3
GT15J102TOSHIBAN6004201535--4005001100-150TO-220I
GT15J103TOSHIBAN6004-1570--350---150D-PAK
GT15N101TOSHIBAN10004-15---1000---150TOP-3
GT15Q101TOSHIBAN12004-15150--500---150TOP-3
GT15Q301TOSHIBAN12002.8-15140--320---150TOP-3
GT15Q311TOSHIBAN12002.8-15130--320---150D-PAK
GT20D101TOSHIBAN2503.6-20180----1400-175TO-247
GT20D101OTOSHIBAN2502.4-20180----1400-175TO-247

Страницы

Наименование - Наименование IGBT транзистора,
Производитель - Производитель IGBT транзистора,
Полярность - Полярность,
VCES - Напряжение коллектор-эммитер, В
VCE(on) - Напряжение насыщения коллектор-эмитер, В
VGE - Напряжение затвор-эммитер, В
IC - Ток коллектора (при макс температуре), А
PD - Мощность транзистора (мах), Вт
ICM - Ток коллектора максимальный (импульсный), А
VGE(th) - Порог напряжения на затворе, В
Qg - Заряд затвора (номинальный), нК
Qge - Заряд затвор-эмитер (номинальный), нК
Qgc - Заряд затвор-коллектор (номинальный), нК
td(on) - Время задержки включения, нс
tr - Время нарастания, нс
td(off) - Время задержки выключения, нс
tf - Время спада, нс
Eon - Потери включения, мДж
Eoff - Потери выключения, мДж
Ets - Общие потери, мДж
Cies - Входная ёмкость, пФ
Coes - Выходная ёмкость, пФ
Cres - Проходная емкость, пФ
TJmin - Минимальная рабочая температура, °С
TJmax - Максимальная рабочая температура, °С
Корпус - Корпус IGBT транзистора,