Транзисторы IGBT

Поиск
Параметры























Страницы

Наименованиесортировать по убываниюПроизводительПолярностьVCES,
В
VCE(on),
В
VGE,
В
IC,
А
PD,
Вт
ICM,
А
VGE(th),
В
td(on),
нс
td(off),
нс
Cies,
пФ
TJmin,
°С
TJmax,
°С
Корпус
GT20D101YTOSHIBAN2503.6-20180----1400-175TO-247
GT20G101TOSHIBAN40082013060--6000---150I-PAK
GT20G102TOSHIBAN40081213060------150I-PAK
GT20J301TOSHIBAN6002.7-20130--300---150TOP-3
GT20J311TOSHIBAN6002.7-20120--300---150D-PAK
GT25G101TOSHIBAN40082017060--6000---150I-PAK
GT25G102TOSHIBAN40081215075------150I-PAK
GT25H101TOSHIBAN5004-25---1000---150TOP-3
GT25J101TOSHIBAN6004-25150--350---150TOP-3
GT25Q101TOSHIBAN12004-25200--500---150TO-264
GT25Q301TOSHIBAN12002.8-25200--320---150TO-264
GT30J301TOSHIBAN6002.7-30155--300---150TOP-3
GT30J311TOSHIBAN6002.7-30145--300---150D-PAK
GT30J322TOSHIBAN60031530---400---150TOP-3
GT40M101TOSHIBAN9003.41540---400---150TOP-3
GT40M301TOSHIBAN9003.41540---400---150TO-264
GT40T301TOSHIBAN150051540---400---150TO-264
GT50G101TOSHIBAN4008-100---3000---150TOP-3
GT50G102TOSHIBAN4008-100---3000---150TOP-3
GT50J101TOSHIBAN6004-50---3350---150TO-264
GT50J102TOSHIBAN6002.7-50200--300---150TO-264
GT50J301TOSHIBAN6002.71550200--300---150TO-264
GT50J322TOSHIBAN60031550---400---150TO-264
GT50L101TOSHIBAN8004-50---700---150TO-264
GT50M101TOSHIBAN9005-50---400---150TO-264
GT50Q101TOSHIBAN12004-50---500---150TO-264
GT50S101TOSHIBAN14007.2-50---380---150TO-264
GT50T101TOSHIBAN15005.5-50---400---150TO-264
GT5G101TOSHIBAN4008-130---1700---150TOP-3
GT5G102TOSHIBAN40081213020------150DP

Страницы

Наименование - Наименование IGBT транзистора,
Производитель - Производитель IGBT транзистора,
Полярность - Полярность,
VCES - Напряжение коллектор-эммитер, В
VCE(on) - Напряжение насыщения коллектор-эмитер, В
VGE - Напряжение затвор-эммитер, В
IC - Ток коллектора (при макс температуре), А
PD - Мощность транзистора (мах), Вт
ICM - Ток коллектора максимальный (импульсный), А
VGE(th) - Порог напряжения на затворе, В
Qg - Заряд затвора (номинальный), нК
Qge - Заряд затвор-эмитер (номинальный), нК
Qgc - Заряд затвор-коллектор (номинальный), нК
td(on) - Время задержки включения, нс
tr - Время нарастания, нс
td(off) - Время задержки выключения, нс
tf - Время спада, нс
Eon - Потери включения, мДж
Eoff - Потери выключения, мДж
Ets - Общие потери, мДж
Cies - Входная ёмкость, пФ
Coes - Выходная ёмкость, пФ
Cres - Проходная емкость, пФ
TJmin - Минимальная рабочая температура, °С
TJmax - Максимальная рабочая температура, °С
Корпус - Корпус IGBT транзистора,