Транзисторы IGBT

Поиск
Параметры























Страницы

НаименованиеПроизводительПолярностьVCES,
В
VCE(on),
В
VGE,
В
IC,
А
PD,
Вт
ICM,
А
VGE(th),
В
td(on),
нс
td(off),
нс
Cies,
пФ
TJmin,
°С
TJmax,
°С
Корпуссортировать по убыванию
SME6G10US120FAIRCHILDN12002.4-10---150---15017PM
SME6G10US60FAIRCHILDN6002.1-10---110---15017PM
SME6G15US120FAIRCHILDN12002.4-15---150---15017PM
SME6G15US60FAIRCHILDN6002-15---70---15017PM
SME6G20US120FAIRCHILDN12002.4-20---150---15017PM
SME6G20US60FAIRCHILDN6002-20---84---15017PM
SME6G25US120FAIRCHILDN12002.4-25---150---15017PM
SME6G30US60FAIRCHILDN6002-30---80---15017PM
SME6G50US60FAIRCHILDN6002.1-50---80---15017PM
SME6G5US120FAIRCHILDN12002.4-5---150---15017PM
SMC7G10US120FAIRCHILDN12002.4-10---150---15021PM
SMC7G10US60FAIRCHILDN6002-10---110---15021PM
SMC7G15US120FAIRCHILDN12002.4-15---150---15021PM
SMC7G15US60FAIRCHILDN6002-15---70---15021PM
SMC7G20US120FAIRCHILDN12002.4-20---150---15021PM
SMC7G20US60FAIRCHILDN6002-20---84---15021PM
SMC7G25US120FAIRCHILDN12002.4-25---150---15021PM
SMC7G30US60FAIRCHILDN6002-30---80---15021PM
SMC7G50US60FAIRCHILDN6002.1-50---80---15021PM
SMC7G5US120FAIRCHILDN12002.4-5---150---15021PM
SM2G100US120FAIRCHILDN12002.4-100---150---1507PM
SM2G100US60FAIRCHILDN6002.1-100---85---1507PM
SM2G150US120FAIRCHILDN12002.4-150---150---1507PM
SM2G150US60FAIRCHILDN6002.1-150---90---1507PM
SM2G200US120FAIRCHILDN12002.4-200---150---1507PM
SM2G200US60FAIRCHILDN6002.1-200---100---1507PM
SM2G300US60FAIRCHILDN6002.1-300---90---1507PM
SM2G400US60FAIRCHILDN6002.1-400---178---1507PM
SM2G50US120FAIRCHILDN12002.4-50---150---1507PM
SM2G50US60FAIRCHILDN6002.1-50---80---1507PM

Страницы

Наименование - Наименование IGBT транзистора,
Производитель - Производитель IGBT транзистора,
Полярность - Полярность,
VCES - Напряжение коллектор-эммитер, В
VCE(on) - Напряжение насыщения коллектор-эмитер, В
VGE - Напряжение затвор-эммитер, В
IC - Ток коллектора (при макс температуре), А
PD - Мощность транзистора (мах), Вт
ICM - Ток коллектора максимальный (импульсный), А
VGE(th) - Порог напряжения на затворе, В
Qg - Заряд затвора (номинальный), нК
Qge - Заряд затвор-эмитер (номинальный), нК
Qgc - Заряд затвор-коллектор (номинальный), нК
td(on) - Время задержки включения, нс
tr - Время нарастания, нс
td(off) - Время задержки выключения, нс
tf - Время спада, нс
Eon - Потери включения, мДж
Eoff - Потери выключения, мДж
Ets - Общие потери, мДж
Cies - Входная ёмкость, пФ
Coes - Выходная ёмкость, пФ
Cres - Проходная емкость, пФ
TJmin - Минимальная рабочая температура, °С
TJmax - Максимальная рабочая температура, °С
Корпус - Корпус IGBT транзистора,