Поиск

Имя

Производитель ADPWR-Advanced Power TechnologyFAIRCHILD-Fairchild Semiconductor Corp.FUJI-FUJI Electric Co LtdHARRIS-HARRIS Corp.HITACHI-Hitachi Semiconductor LtdINTERSIL-Intersil Inc.IR-International RectifierIXYS-IXYS CorporationMATSUSHITA-Matsushita Electronics Corp.MICROSEMI-MICROSEMI Corp.MITSUBISHI-Mitsubishi Electric Co. Ltd.MOTOROLA-Motorola Inc.NTE-NTE Electronics Inc.ONSEMI-ON SemiconductorPH-Philips GmbHPOWEREX-POWEREX Inc.rus(ussr)-Россия (СССР)SEMIKRON-SEMIKRONST-SGS-Thomson MicroelectronicsSTC -Silicon Transistor Corp.TOSHIBA-Toshiba Corporation

Корпус 17PM21PM7PMD-PAKD2PAKDPI-PAKINT-A-PAKISOTOPMP-3SMD-10SMD-PSOP-8SOT-223SOT-227SOT-404T-MAXT-PAKTO-204AATO-218TO-220AB (TO-220)TO-220ITO-226AA (TO-92)TO-247TO-247-ISOTO-247-PLUSTO-251TO-252TO-252-AATO-254TO-257TO-258TO-262TO-263TO-264TO-268TO-274TO-3TO-3PTOP-3UNKNOWN

Параметры

NP

Страницы

Наименование	Производитель	Полярность	VCES, В	VCE(on), В	VGE, В	IC, А	PD, Вт	ICM, А	VGE(th), В	td(on), нс	td(off), нс	Cies, пФ	TJmin, °С	TJmax, °С	Корпус
HGT1S3N60A4DS	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	TO-262
HGT1S3N60A4S	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	TO-262
HGT1S7N60A4DS	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	UNKNOWN
HGT1Y40N60A4	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	UNKNOWN
HGT1Y40N60A4D	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	UNKNOWN
HGT5A40N60A4	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	UNKNOWN
HGTD3N60A4S	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	UNKNOWN
HGTD7N60A4S	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	UNKNOWN
HGTG30N60A4	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	TO-247
HGTG30N60A4D	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	TO-247
HGTG40N60A4	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	TO-247
HGTG7N60A4	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	TO-247
HGTG7N60A4D	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	TO-247
HGTP3N60A4	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	TO-220AB (TO-220)
HGTP3N60A4D	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	TO-220AB (TO-220)
HGTP7N60A4	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	TO-220AB (TO-220)
HGTP7N60A4D	INTERSIL	N	600	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150	TO-220AB (TO-220)
MGS05N60D	ONSEMI	N	600	1.6	15	0.3	1	-	-	28	21	75	-	150	TO-226AA (TO-92)
MGS13002D	ONSEMI	N	600	1.6	15	0.3	1	-	-	21	28	100	-	150	TO-226AA (TO-92)
MMG05N60D	ONSEMI	N	600	1.6	-	0.3	1	-	-	-	-	-	-	150	SOT-223
SGU1N60XFD	FAIRCHILD	N	600	2.5	-	1	-	-	-	90	-	-	-	150	I-PAK
SGR2N60UFD	FAIRCHILD	N	600	2.1	-	1.2	-	-	-	80	-	-	-	150	D-PAK
STGD3NB60S	ST	N	600	1.5	20	3	40	-	-	170	540	255	-	150	TO-252
SGP6N60UF	FAIRCHILD	N	600	2.1	-	3	-	-	-	80	-	-	-	150	TO-220AB (TO-220)
SGP6N60UFD	FAIRCHILD	N	600	2.1	-	3	-	-	-	80	-	-	-	150	TO-220AB (TO-220)
SGR6N60UF	FAIRCHILD	N	600	2.1	-	3	-	-	-	80	-	-	-	150	D-PAK
SGS6N60UF	FAIRCHILD	N	600	2.1	-	3	-	-	-	80	-	-	-	150	TO-220I
SGS6N60UFD	FAIRCHILD	N	600	2.1	-	3	-	-	-	80	-	-	-	150	TO-220I
SGW6N60UF	FAIRCHILD	N	600	2.1	-	3	-	-	-	80	-	-	-	150	TO-263
SGW6N60UFD	FAIRCHILD	N	600	2.1	-	3	-	-	-	80	-	-	-	150	TO-263

Страницы

Наименование - Наименование IGBT транзистора,
Производитель - Производитель IGBT транзистора,
Полярность - Полярность,
V_CES - Напряжение коллектор-эммитер, В
V_CE(on) - Напряжение насыщения коллектор-эмитер, В
V_GE - Напряжение затвор-эммитер, В
I_C - Ток коллектора (при макс температуре), А
P_D - Мощность транзистора (мах), Вт
I_CM - Ток коллектора максимальный (импульсный), А
V_GE(th) - Порог напряжения на затворе, В
Q_g - Заряд затвора (номинальный), нК
Q_ge - Заряд затвор-эмитер (номинальный), нК
Q_gc - Заряд затвор-коллектор (номинальный), нК
t_d(on) - Время задержки включения, нс
t_r - Время нарастания, нс
t_d(off) - Время задержки выключения, нс
t_f - Время спада, нс
E_on - Потери включения, мДж
E_off - Потери выключения, мДж
E_ts - Общие потери, мДж
C_ies - Входная ёмкость, пФ
C_oes - Выходная ёмкость, пФ
C_res - Проходная емкость, пФ
T_Jmin - Минимальная рабочая температура, °С
T_Jmax - Максимальная рабочая температура, °С
Корпус - Корпус IGBT транзистора,