Транзисторы IGBT

Поиск
Параметры























Страницы

НаименованиеПроизводительПолярностьVCES,
В
VCE(on),
В
VGE,
В
IC,
Асортировать по убыванию
PD,
Вт
ICM,
А
VGE(th),
В
td(on),
нс
td(off),
нс
Cies,
пФ
TJmin,
°С
TJmax,
°С
Корпус
HGT1S3N60A4DSINTERSILN600----------150TO-262
HGT1S3N60A4SINTERSILN600----------150TO-262
HGT1S7N60A4DSINTERSILN600----------150UNKNOWN
HGT1Y40N60A4INTERSILN600----------150UNKNOWN
HGT1Y40N60A4DINTERSILN600----------150UNKNOWN
HGT5A40N60A4INTERSILN600----------150UNKNOWN
HGTD3N60A4SINTERSILN600----------150UNKNOWN
HGTD7N60A4SINTERSILN600----------150UNKNOWN
HGTG30N60A4INTERSILN600----------150TO-247
HGTG30N60A4DINTERSILN600----------150TO-247
HGTG40N60A4INTERSILN600----------150TO-247
HGTG7N60A4INTERSILN600----------150TO-247
HGTG7N60A4DINTERSILN600----------150TO-247
HGTP3N60A4INTERSILN600----------150TO-220AB (TO-220)
HGTP3N60A4DINTERSILN600----------150TO-220AB (TO-220)
HGTP7N60A4INTERSILN600----------150TO-220AB (TO-220)
HGTP7N60A4DINTERSILN600----------150TO-220AB (TO-220)
MGS05N60DONSEMIN6001.6150.31--282175-150TO-226AA (TO-92)
MGS13002DONSEMIN6001.6150.31--2128100-150TO-226AA (TO-92)
MMG05N60DONSEMIN6001.6-0.31------150SOT-223
SGU1N60XFDFAIRCHILDN6002.5-1---90---150I-PAK
SGR2N60UFDFAIRCHILDN6002.1-1.2---80---150D-PAK
STGD3NB60SSTN6001.520340--170540255-150TO-252
SGP6N60UFFAIRCHILDN6002.1-3---80---150TO-220AB (TO-220)
SGP6N60UFDFAIRCHILDN6002.1-3---80---150TO-220AB (TO-220)
SGR6N60UFFAIRCHILDN6002.1-3---80---150D-PAK
SGS6N60UFFAIRCHILDN6002.1-3---80---150TO-220I
SGS6N60UFDFAIRCHILDN6002.1-3---80---150TO-220I
SGW6N60UFFAIRCHILDN6002.1-3---80---150TO-263
SGW6N60UFDFAIRCHILDN6002.1-3---80---150TO-263

Страницы

Наименование - Наименование IGBT транзистора,
Производитель - Производитель IGBT транзистора,
Полярность - Полярность,
VCES - Напряжение коллектор-эммитер, В
VCE(on) - Напряжение насыщения коллектор-эмитер, В
VGE - Напряжение затвор-эммитер, В
IC - Ток коллектора (при макс температуре), А
PD - Мощность транзистора (мах), Вт
ICM - Ток коллектора максимальный (импульсный), А
VGE(th) - Порог напряжения на затворе, В
Qg - Заряд затвора (номинальный), нК
Qge - Заряд затвор-эмитер (номинальный), нК
Qgc - Заряд затвор-коллектор (номинальный), нК
td(on) - Время задержки включения, нс
tr - Время нарастания, нс
td(off) - Время задержки выключения, нс
tf - Время спада, нс
Eon - Потери включения, мДж
Eoff - Потери выключения, мДж
Ets - Общие потери, мДж
Cies - Входная ёмкость, пФ
Coes - Выходная ёмкость, пФ
Cres - Проходная емкость, пФ
TJmin - Минимальная рабочая температура, °С
TJmax - Максимальная рабочая температура, °С
Корпус - Корпус IGBT транзистора,