Транзисторы IGBT

Поиск
Параметры























Страницы

НаименованиеПроизводительПолярностьVCES,
В
VCE(on),
В
VGE,
В
IC,
А
PD,
Вт
ICM,
А
VGE(th),
В
td(on),
нс
td(off),
нс
Cies,
пФ
TJmin,
°С
TJmax,
°Ссортировать по убыванию
Корпус
GT8Q101TOSHIBAN12004-8100--500---150TOP-3
IXGA15N120CIXYSN1200--30---115---150TO-263
CT20VM-8MITSUBISHIN400740130-------150TO-220AB (TO-220)
GT8Q102TOSHIBAN12004-850--500---150D-PAK
IXGA20N100IXYSN1000--40---3---150TO-263
CT20VML-8MITSUBISHIN400216130-------150TO-220AB (TO-220)
HGT1S10N120BNSINTERSILN1200--35-------150UNKNOWN
IXGA20N60BIXYSN600--40---100---150TO-263
CT20VS-8MITSUBISHIN400740130-------150TO-220AB (TO-220)
HGT1S11N120CNSINTERSILN1200--43-------150UNKNOWN
IXGA7N60BIXYSN600--14---150---150TO-263
CT20VSL-8MITSUBISHIN400216130-------150TO-220AB (TO-220)
HGT1S12N60A4DSINTERSILN600--54-------150UNKNOWN
IXGA7N60CIXYSN600--14---45---150TO-263
CT25AS-8MITSUBISHIN400740150-------150MP-3
HGT1S12N60A4SINTERSILN600--54-------150UNKNOWN
IXGA8N100IXYSN1000--16---2.7---150TO-263
CT25ASJ-8MITSUBISHIN400416150-------150MP-3
HGT1S12N60B3INTERSILN600--27-------150UNKNOWN
IXGD10N100IXYSN10003.5-1060--550---150TO-257
CT30SM-12MITSUBISHIN60033030250--301351480-150TO-3P
HGT1S12N60B3DINTERSILN600--27-------150UNKNOWN
IXGD10N60IXYSN6002.5-1060--600---150TO-257
CT30TM-8MITSUBISHIN400740180-------150TO-220I
HGT1S12N60B3DSINTERSILN600--27-------150UNKNOWN
IXGD10N60AIXYSN6003-1060--600---150TO-257
CT30VM-8MITSUBISHIN400740180-------150TO-220AB (TO-220)
HGT1S12N60B3SINTERSILN600--27-------150UNKNOWN
IXGD17N100IXYSN10003.5-17150--500---150TO-254
SGF15N90DFAIRCHILDN9002-15---250---150TO-3P

Страницы

Наименование - Наименование IGBT транзистора,
Производитель - Производитель IGBT транзистора,
Полярность - Полярность,
VCES - Напряжение коллектор-эммитер, В
VCE(on) - Напряжение насыщения коллектор-эмитер, В
VGE - Напряжение затвор-эммитер, В
IC - Ток коллектора (при макс температуре), А
PD - Мощность транзистора (мах), Вт
ICM - Ток коллектора максимальный (импульсный), А
VGE(th) - Порог напряжения на затворе, В
Qg - Заряд затвора (номинальный), нК
Qge - Заряд затвор-эмитер (номинальный), нК
Qgc - Заряд затвор-коллектор (номинальный), нК
td(on) - Время задержки включения, нс
tr - Время нарастания, нс
td(off) - Время задержки выключения, нс
tf - Время спада, нс
Eon - Потери включения, мДж
Eoff - Потери выключения, мДж
Ets - Общие потери, мДж
Cies - Входная ёмкость, пФ
Coes - Выходная ёмкость, пФ
Cres - Проходная емкость, пФ
TJmin - Минимальная рабочая температура, °С
TJmax - Максимальная рабочая температура, °С
Корпус - Корпус IGBT транзистора,