Транзисторы IGBT

Поиск
Параметры























Страницы

НаименованиеПроизводительПолярностьVCES,
Всортировать по убыванию
VCE(on),
В
VGE,
В
IC,
А
PD,
Вт
ICM,
А
VGE(th),
В
td(on),
нс
td(off),
нс
Cies,
пФ
TJmin,
°С
TJmax,
°С
Корпус
MGP20N14CLONSEMIN1351.9-20150----430-150TO-220AB (TO-220)
GA400TD25SIRN2501.6-4001350------150INT-A-PAK
GA600GD25SIRN2501.4-6001920------150INT-A-PAK
GT20D101TOSHIBAN2503.6-20180----1400-175TO-247
GT20D101OTOSHIBAN2502.4-20180----1400-175TO-247
GT20D101YTOSHIBAN2503.6-20180----1400-175TO-247
IRG4P254SIRN250--55200------175TO-247
IXGH20N30IXYSN3001.452040---151001500-150TO-247
IXGH28N30IXYSN3001.62040150--151301500-150TO-247
IXGH30N30IXYSN3001.62060---251702500-150TO-247
IXGH40N30IXYSN300--60---1.8---150TO-247
IXGH40N30AIXYSN300--60---120---150TO-247
IXGH40N30BIXYSN300--60---55---150TO-247
IXGH40N30BD1IXYSN300--60---75---175TO-247
IXGH20N30SIXYSN3001.452040---151001500-150TO-247
IXGT28N30IXYSN3001.62040150--151301500-150TO-268
IXGT28N30AIXYSN3001.62040150--151301500-150TO-268
IXGT28N30BIXYSN3001.62040150--151301500-150TO-268
IXGH28N30AIXYSN3001.62040150--151301500-150TO-247
IXGH28N30BIXYSN3001.62040150--151301500-150TO-247
IXGH30N30SIXYSN3001.62060---251702500-150TO-247
RCH10N35HARRISN3504.5-1075--100-800-175TO-218
RCM10N35HARRISN3504.5-1075--100-800-175TO-204AA
RCP10N35HARRISN3504.5-560--100-800-175TO-220AB (TO-220)
MGP20N35CLONSEMIN3501.8-20150----2800-150TO-220AB (TO-220)
HGT1S14N36G3VLINTERSILN3601.451014100--7000---150TO-262
HGT1S14N36G3VLSINTERSILN3601.451014100--7000---150TO-263
HGTP14N36G3VLINTERSILN3601.451014100--7000---150TO-220AB (TO-220)
HGT1S14N36G3VLS9AINTERSILN3601.451014100--7000---150TO-263
14N36GVLINTERSILN3601.451014100--7000---150TO-262

Страницы

Наименование - Наименование IGBT транзистора,
Производитель - Производитель IGBT транзистора,
Полярность - Полярность,
VCES - Напряжение коллектор-эммитер, В
VCE(on) - Напряжение насыщения коллектор-эмитер, В
VGE - Напряжение затвор-эммитер, В
IC - Ток коллектора (при макс температуре), А
PD - Мощность транзистора (мах), Вт
ICM - Ток коллектора максимальный (импульсный), А
VGE(th) - Порог напряжения на затворе, В
Qg - Заряд затвора (номинальный), нК
Qge - Заряд затвор-эмитер (номинальный), нК
Qgc - Заряд затвор-коллектор (номинальный), нК
td(on) - Время задержки включения, нс
tr - Время нарастания, нс
td(off) - Время задержки выключения, нс
tf - Время спада, нс
Eon - Потери включения, мДж
Eoff - Потери выключения, мДж
Ets - Общие потери, мДж
Cies - Входная ёмкость, пФ
Coes - Выходная ёмкость, пФ
Cres - Проходная емкость, пФ
TJmin - Минимальная рабочая температура, °С
TJmax - Максимальная рабочая температура, °С
Корпус - Корпус IGBT транзистора,